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- Artikelnummer:
- PHU101NQ03LT,127
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 75A SOT533.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf NXP USA Inc. PHU101NQ03LT,127 elektronische Komponenten. PHU101NQ03LT,127 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu PHU101NQ03LT,127 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
PHU101NQ03LT,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
PHU101NQ03LT,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 75A SOT533
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2180pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
166W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I-PAK
Paket / fall :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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