Taiwan Semiconductor Corporation - TSM60NB099CZ C0G

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TSM60NB099CZ C0G Preise (USD) [14168Stück Lager]

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Artikelnummer:
TSM60NB099CZ C0G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM60NB099CZ C0G Produkteigenschaften

Artikelnummer : TSM60NB099CZ C0G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 38A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2587pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 298W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220
Paket / fall : TO-220-3

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