APTM100A13DG Preise (USD) [590Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- APTM100A13DG
- Hersteller:
- Microsemi Corporation
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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APTM100A13DG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
APTM100A13DG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V (1kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
65A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
562nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
15200pF @ 25V
Leistung max :
1250W
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
SP6
Supplier Device Package :
SP6
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