Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2DHE3J/52T

KEY Part #: K6443590

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    Artikelnummer:
    ES2DHE3J/52T
    Hersteller:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule and Thyristoren - TRIACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division ES2DHE3J/52T elektronische Komponenten. ES2DHE3J/52T kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ES2DHE3J/52T haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2DHE3J/52T Produkteigenschaften

    Artikelnummer : ES2DHE3J/52T
    Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 2A
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 900mV @ 2A
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 30ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 10µA @ 200V
    Kapazität @ Vr, F : 18pF @ 4V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : DO-214AC, SMA
    Supplier Device Package : DO-214AC (SMA)
    Betriebstemperatur - Übergang : -55°C ~ 150°C

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