SQS460ENW-T1_GE3 Preise (USD) [219327Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SQS460ENW-T1_GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs and Leistungstreibermodule ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SQS460ENW-T1_GE3 elektronische Komponenten. SQS460ENW-T1_GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SQS460ENW-T1_GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SQS460ENW-T1_GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SQS460ENW-T1_GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V AEC-Q101 1212-8W
Serie :
*
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
755pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
39W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerPAK® 1212-8W
Paket / fall :
PowerPAK® 1212-8W
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