IXYS - IXTM11N80

KEY Part #: K6400900

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    Artikelnummer:
    IXTM11N80
    Hersteller:
    IXYS
    Detaillierte Beschreibung:
    POWER MOSFET TO-3.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Zener - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTM11N80 elektronische Komponenten. IXTM11N80 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTM11N80 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXTM11N80 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IXTM11N80
    Hersteller : IXYS
    Beschreibung : POWER MOSFET TO-3
    Serie : GigaMOS™
    Teilestatus : Last Time Buy
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 11A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 950 mOhm @ 5.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 170nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 300W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-204AA
    Paket / fall : TO-204AA, TO-3