IPA180N10N3GXKSA1 Preise (USD) [93248Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPA180N10N3GXKSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPA180N10N3GXKSA1 elektronische Komponenten. IPA180N10N3GXKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPA180N10N3GXKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPA180N10N3GXKSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPA180N10N3GXKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 35µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1800pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-FP
Paket / fall :
TO-220-3 Full Pack
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