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Microsemi Corporation - JANTX1N5802

KEY Part #: K6438436

JANTX1N5802 Preise (USD) [6201Stück Lager]

  • 1 pcs$6.34608
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  • 100 pcs$4.90345
  • 250 pcs$4.47080
  • 500 pcs$4.18236
Artikelnummer:
JANTX1N5802
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 50V HR 2FFX
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Thyristoren - Thyristoren ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JANTX1N5802 elektronische Komponenten. JANTX1N5802 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JANTX1N5802 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5802 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JANTX1N5802
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/477
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 50V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 25ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 50V
Kapazität @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : A, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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