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- Artikelnummer:
- ZXM66N02N8TA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated ZXM66N02N8TA elektronische Komponenten. ZXM66N02N8TA kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu ZXM66N02N8TA haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
ZXM66N02N8TA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXM66N02N8TA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
700mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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