STL57N65M5 Preise (USD) [15304Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STL57N65M5
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STL57N65M5 elektronische Komponenten. STL57N65M5 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STL57N65M5 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
STL57N65M5 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STL57N65M5
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Serie :
MDmesh™ V
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
69 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.8W (Ta), 189W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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