Infineon Technologies - IRF3205L

KEY Part #: K6414604

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    Artikelnummer:
    IRF3205L
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 55V 110A TO-262.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - RF, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF3205L elektronische Komponenten. IRF3205L kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF3205L haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF3205L Produkteigenschaften

    Artikelnummer : IRF3205L
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
    Serie : HEXFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 55V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 110A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 62A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 146nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3247pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 200W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-262
    Paket / fall : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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