Artikelnummer :
APTM100UM60FAG
Hersteller :
Microsemi Corporation
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1000V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
129A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 64.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 15mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
1116nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
31100pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
2272W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
SP6