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- Artikelnummer:
- IRF6645
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF6645 elektronische Komponenten. IRF6645 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF6645 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF6645 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF6645
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DIRECTFET™ SJ
Paket / fall :
DirectFET™ Isometric SJ
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