BSZ180P03NS3GATMA1 Preise (USD) [365089Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSZ180P03NS3GATMA1 elektronische Komponenten. BSZ180P03NS3GATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSZ180P03NS3GATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSZ180P03NS3GATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSZ180P03NS3GATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Ta), 39.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.1V @ 48µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2220pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSDSON-8
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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