TPC6110(TE85L,F,M) Preise (USD) [395690Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPC6110(TE85L,F,M)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Dioden - Zener - Single and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110(TE85L,F,M) elektronische Komponenten. TPC6110(TE85L,F,M) kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPC6110(TE85L,F,M) haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPC6110(TE85L,F,M) Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPC6110(TE85L,F,M)
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6
Serie :
U-MOSVI
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
56 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
510pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VS-6 (2.9x2.8)
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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