IPC100N04S52R8ATMA1 Preise (USD) [183929Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPC100N04S52R8ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPC100N04S52R8ATMA1 elektronische Komponenten. IPC100N04S52R8ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPC100N04S52R8ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPC100N04S52R8ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPC100N04S52R8ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.4V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
75W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-34
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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