HAT2160H-EL-E Preise (USD) [71063Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- HAT2160H-EL-E
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Renesas Electronics America HAT2160H-EL-E elektronische Komponenten. HAT2160H-EL-E kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HAT2160H-EL-E haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HAT2160H-EL-E Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HAT2160H-EL-E
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
60A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
7750pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
30W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
LFPAK
Paket / fall :
SC-100, SOT-669
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