FF6MR12W2M1B11BOMA1 Preise (USD) [291Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET MODULE 1200V 200A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FF6MR12W2M1B11BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET MODULE 1200V 200A
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
496nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14700pF @ 800V
Leistung max :
20mW (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
AG-EASY2BM-2
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