FF6MR12W2M1B11BOMA1 Preise (USD) [291Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FF6MR12W2M1B11BOMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET MODULE 1200V 200A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies FF6MR12W2M1B11BOMA1 elektronische Komponenten. FF6MR12W2M1B11BOMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FF6MR12W2M1B11BOMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FF6MR12W2M1B11BOMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FF6MR12W2M1B11BOMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET MODULE 1200V 200A
Serie :
CoolSiC™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
200A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.63 mOhm @ 200A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.55V @ 10mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
496nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
14700pF @ 800V
Leistung max :
20mW (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Chassis Mount
Paket / fall :
Module
Supplier Device Package :
AG-EASY2BM-2
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