Vishay Siliconix - SI5511DC-T1-E3

KEY Part #: K6524412

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    Artikelnummer:
    SI5511DC-T1-E3
    Hersteller:
    Vishay Siliconix
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - IGBTs - Module and Leistungstreibermodule ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI5511DC-T1-E3 elektronische Komponenten. SI5511DC-T1-E3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI5511DC-T1-E3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5511DC-T1-E3 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : SI5511DC-T1-E3
    Hersteller : Vishay Siliconix
    Beschreibung : MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
    Serie : TrenchFET®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N and P-Channel
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 4A, 3.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 7.1nC @ 5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 435pF @ 15V
    Leistung max : 3.1W, 2.6W
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SMD, Flat Lead
    Supplier Device Package : 1206-8 ChipFET™