FDMS4D0N12C Preise (USD) [29645Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDMS4D0N12C
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- PTNG 120V N-FET PQFN56.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDMS4D0N12C Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDMS4D0N12C
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
PTNG 120V N-FET PQFN56
Serie :
PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18.5A (Ta), 114A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 370A
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6460pF @ 60V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.7W (Ta), 106W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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