EPC - EPC2015C

KEY Part #: K6416896

EPC2015C Preise (USD) [40241Stück Lager]

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Artikelnummer:
EPC2015C
Hersteller:
EPC
Detaillierte Beschreibung:
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2015C Produkteigenschaften

Artikelnummer : EPC2015C
Hersteller : EPC
Beschreibung : GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Serie : eGaN®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 53A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.7nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1180pF @ 20V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : Die
Paket / fall : Die