Beschreibung :
GANFET TRANS 40V 33A BUMPED DIE
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
40V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
53A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4 mOhm @ 33A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 9mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1180pF @ 20V
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
Die