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- Artikelnummer:
- IRFDC20
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - JFETs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRFDC20 elektronische Komponenten. IRFDC20 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFDC20 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFDC20 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFDC20
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Serie :
-
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
320mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 Ohm @ 190mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paket / fall :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
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