IXTP06N120P Preise (USD) [34636Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IXTP06N120P
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Single, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS IXTP06N120P elektronische Komponenten. IXTP06N120P kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXTP06N120P haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IXTP06N120P Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IXTP06N120P
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
Serie :
PolarVHV™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
1200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
600mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 50µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
13.3nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
270pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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