IPD50R650CEATMA1 Preise (USD) [2739Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD50R650CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD50R650CEATMA1 elektronische Komponenten. IPD50R650CEATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD50R650CEATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD50R650CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD50R650CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
Serie :
CoolMOS™ CE
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
500V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 150µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
342pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
69W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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