IPB60R230P6ATMA1 Preise (USD) [2753Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPB60R230P6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPB60R230P6ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPB60R230P6ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 16.8A 3TO263
Serie :
CoolMOS™ P6
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
230 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 530µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
31nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1450pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
126W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO263-3
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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