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ON Semiconductor - FDMC8200S

KEY Part #: K6524944

FDMC8200S Preise (USD) [189774Stück Lager]

  • 1 pcs$0.19588
  • 3,000 pcs$0.19490
Artikelnummer:
FDMC8200S
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDMC8200S elektronische Komponenten. FDMC8200S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDMC8200S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC8200S Produkteigenschaften

Artikelnummer : FDMC8200S
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
Serie : PowerTrench®
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A, 8.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 660pF @ 15V
Leistung max : 700mW, 1W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerWDFN
Supplier Device Package : 8-Power33 (3x3)

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