IPD65R650CEATMA1 Preise (USD) [2905Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD65R650CEATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IPD65R650CEATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD65R650CEATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252
Serie :
CoolMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
10.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 0.21mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
440pF @ 100V
FET-Funktion :
Super Junction
Verlustleistung (max.) :
86W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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