EPC2105ENGRT Preise (USD) [19276Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- EPC2105ENGRT
- Hersteller:
- EPC
- Detaillierte Beschreibung:
- GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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EPC2105ENGRT Produkteigenschaften
Artikelnummer :
EPC2105ENGRT
Hersteller :
EPC
Beschreibung :
GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Serie :
eGaN®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
300pF @ 40V
Leistung max :
-
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
Die
Supplier Device Package :
Die
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