FDD86367 Preise (USD) [94023Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDD86367
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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FDD86367 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD86367
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 80V 100A TO252
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4840pF @ 40V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
227W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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