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- Artikelnummer:
- SUP50N03-5M1P-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - Zener - Single and Transistoren - IGBTs - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SUP50N03-5M1P-GE3 elektronische Komponenten. SUP50N03-5M1P-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SUP50N03-5M1P-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SUP50N03-5M1P-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SUP50N03-5M1P-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.1 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
66nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2780pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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