NVMFD5C680NLT1G Preise (USD) [245211Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- NVMFD5C680NLT1G
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor NVMFD5C680NLT1G elektronische Komponenten. NVMFD5C680NLT1G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu NVMFD5C680NLT1G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
NVMFD5C680NLT1G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
NVMFD5C680NLT1G
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.5A (Ta), 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 13µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Leistung max :
3W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerTDFN
Supplier Device Package :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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