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Microsemi Corporation - JAN1N5417

KEY Part #: K6440350

JAN1N5417 Preise (USD) [6604Stück Lager]

  • 1 pcs$5.15178
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  • 250 pcs$3.50247
  • 500 pcs$3.19343
Artikelnummer:
JAN1N5417
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 200V
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Leistungstreibermodule, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - JFETs and Transistoren - IGBTs - Module ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation JAN1N5417 elektronische Komponenten. JAN1N5417 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu JAN1N5417 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5417 Produkteigenschaften

Artikelnummer : JAN1N5417
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Serie : Military, MIL-PRF-19500/411
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 200V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 200V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : B, Axial
Supplier Device Package : -
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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