Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP31B-E3/C

KEY Part #: K6440158

EGP31B-E3/C Preise (USD) [247410Stück Lager]

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Artikelnummer:
EGP31B-E3/C
Hersteller:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD. Rectifiers 3A,100V,50NS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Zener - Single and Dioden - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Semiconductor Diodes Division EGP31B-E3/C elektronische Komponenten. EGP31B-E3/C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu EGP31B-E3/C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EGP31B-E3/C Produkteigenschaften

Artikelnummer : EGP31B-E3/C
Hersteller : Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung : DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Serie : SUPERECTIFIER®
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 100V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 950mV @ 3A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 50ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F : 117pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : DO-201AD, Axial
Supplier Device Package : DO-201AD
Betriebstemperatur - Übergang : -65°C ~ 175°C

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