ON Semiconductor - FQPF8N90C

KEY Part #: K6419024

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Artikelnummer:
FQPF8N90C
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQPF8N90C elektronische Komponenten. FQPF8N90C kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQPF8N90C haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF8N90C Produkteigenschaften

Artikelnummer : FQPF8N90C
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
Serie : QFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2080pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 60W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220F
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack