Infineon Technologies - BAS16WE6327HTSA1

KEY Part #: K6449442

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    Artikelnummer:
    BAS16WE6327HTSA1
    Hersteller:
    Infineon Technologies
    Detaillierte Beschreibung:
    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Single ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BAS16WE6327HTSA1 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : BAS16WE6327HTSA1
    Hersteller : Infineon Technologies
    Beschreibung : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    Diodentyp : Standard
    Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 80V
    Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 250mA (DC)
    Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
    Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reverse Recovery Time (trr) : 4ns
    Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 1µA @ 75V
    Kapazität @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : SC-70, SOT-323
    Supplier Device Package : PG-SOT323-3
    Betriebstemperatur - Übergang : 150°C (Max)

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