Infineon Technologies - BSS159NH6327XTSA2

KEY Part #: K6421427

BSS159NH6327XTSA2 Preise (USD) [540491Stück Lager]

  • 1 pcs$0.06843
  • 3,000 pcs$0.04620

Artikelnummer:
BSS159NH6327XTSA2
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - RF and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSS159NH6327XTSA2 elektronische Komponenten. BSS159NH6327XTSA2 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSS159NH6327XTSA2 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS159NH6327XTSA2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : BSS159NH6327XTSA2
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Serie : SIPMOS®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 230mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 26µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 1.4nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 39pF @ 25V
FET-Funktion : Depletion Mode
Verlustleistung (max.) : 360mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-3
Paket / fall : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Sie könnten auch interessiert sein an