Vishay Siliconix - SI1480DH-T1-GE3

KEY Part #: K6421344

SI1480DH-T1-GE3 Preise (USD) [471021Stück Lager]

  • 1 pcs$0.07853
  • 3,000 pcs$0.07418

Artikelnummer:
SI1480DH-T1-GE3
Hersteller:
Vishay Siliconix
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Leistungstreibermodule, Dioden - Zener - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI1480DH-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI1480DH-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI1480DH-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1480DH-T1-GE3 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SI1480DH-T1-GE3
Hersteller : Vishay Siliconix
Beschreibung : MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363
Serie : TrenchFET®
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 130pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SC-70-6 (SOT-363)
Paket / fall : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Sie könnten auch interessiert sein an