DMN1017UCP3-7 Preise (USD) [392732Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMN1017UCP3-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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DMN1017UCP3-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMN1017UCP3-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 3.3V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17 mOhm @ 5A, 3.3V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 3.3V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1503pF @ 6V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.47W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
X3-DSN1010-3
Paket / fall :
3-XDFN
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