Microsemi Corporation - APTMC120AM09CT3AG

KEY Part #: K6522614

APTMC120AM09CT3AG Preise (USD) [103Stück Lager]

  • 1 pcs$344.37982
  • 100 pcs$343.32097

Artikelnummer:
APTMC120AM09CT3AG
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTMC120AM09CT3AG elektronische Komponenten. APTMC120AM09CT3AG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTMC120AM09CT3AG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTMC120AM09CT3AG Produkteigenschaften

Artikelnummer : APTMC120AM09CT3AG
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion : Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 295A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 200A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 40mA (Typ)
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 644nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 11000pF @ 1000V
Leistung max : 1250W
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : SP3
Supplier Device Package : SP3