MMIX1F210N30P3 Preise (USD) [3186Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- MMIX1F210N30P3
- Hersteller:
- IXYS
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 300V 108A MMIX.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - TRIACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf IXYS MMIX1F210N30P3 elektronische Komponenten. MMIX1F210N30P3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu MMIX1F210N30P3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
MMIX1F210N30P3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
MMIX1F210N30P3
Hersteller :
IXYS
Beschreibung :
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
Serie :
HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
16200pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
-
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
24-SMPD
Paket / fall :
24-PowerSMD, 21 Leads
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