Artikelnummer :
GSID100A120T2C1
Hersteller :
Global Power Technologies Group
Beschreibung :
SILICON IGBT MODULES
Aufbau :
Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) :
1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) :
200A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) :
1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce :
13.7nF @ 25V
Eingang :
Three Phase Bridge Rectifier
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C
Befestigungsart :
Chassis Mount
Supplier Device Package :
Module