Global Power Technologies Group - GSID100A120T2C1

KEY Part #: K6532554

GSID100A120T2C1 Preise (USD) [761Stück Lager]

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Artikelnummer:
GSID100A120T2C1
Hersteller:
Global Power Technologies Group
Detaillierte Beschreibung:
SILICON IGBT MODULES.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID100A120T2C1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GSID100A120T2C1
Hersteller : Global Power Technologies Group
Beschreibung : SILICON IGBT MODULES
Serie : Amp+™
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : -
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 200A
Leistung max : 640W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 13.7nF @ 25V
Eingang : Three Phase Bridge Rectifier
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module

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