DMT5015LFDF-7 Preise (USD) [377634Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- DMT5015LFDF-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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DMT5015LFDF-7 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT5015LFDF-7
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
50V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
902.7pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
820mW (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
6-UDFN2020 (2x2)
Paket / fall :
6-UDFN Exposed Pad
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