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- Artikelnummer:
- IRFBL3703
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRFBL3703 elektronische Komponenten. IRFBL3703 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRFBL3703 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRFBL3703 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFBL3703
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
260A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
209nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8250pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SUPER D2-PAK
Paket / fall :
Super D2-Pak
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