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Microsemi Corporation - APTM100A12STG

KEY Part #: K6524324

[3869Stück Lager]

    Artikelnummer:
    APTM100A12STG
    Hersteller:
    Microsemi Corporation
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf Microsemi Corporation APTM100A12STG elektronische Komponenten. APTM100A12STG kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu APTM100A12STG haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM100A12STG Produkteigenschaften

    Artikelnummer : APTM100A12STG
    Hersteller : Microsemi Corporation
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
    Serie : -
    Teilestatus : Discontinued at Digi-Key
    FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
    FET-Funktion : Standard
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1000V (1kV)
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 68A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 34A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 616nC @ 10V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 17400pF @ 25V
    Leistung max : 1250W
    Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Chassis Mount
    Paket / fall : SP3
    Supplier Device Package : SP3

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