Infineon Technologies - FS150R17N3E4BOSA1

KEY Part #: K6534121

FS150R17N3E4BOSA1 Preise (USD) [477Stück Lager]

  • 1 pcs$97.20011

Artikelnummer:
FS150R17N3E4BOSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
IGBT MODULE VCES 650V 150A.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS150R17N3E4BOSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : FS150R17N3E4BOSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : IGBT MODULE VCES 650V 150A
Serie : -
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : Trench Field Stop
Aufbau : Three Phase Inverter
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1700V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 150A
Leistung max : 835W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 2.3V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 13.5nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : Yes
Betriebstemperatur : -40°C ~ 150°C
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : Module
Supplier Device Package : Module