Infineon Technologies - IDP20E65D2XKSA1

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Artikelnummer:
IDP20E65D2XKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Thyristoren - TRIACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP20E65D2XKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IDP20E65D2XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2
Serie : -
Teilestatus : Active
Diodentyp : Standard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) : 650V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) : 40A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If : 2.2V @ 20A
Geschwindigkeit : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) : 32ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr : 40µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F : -
Befestigungsart : Through Hole
Paket / fall : TO-220-2
Supplier Device Package : PG-TO220-2-1
Betriebstemperatur - Übergang : -40°C ~ 175°C

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