Artikelnummer :
TSM045NB06CR RLG
Hersteller :
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung :
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
16A (Ta), 104A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
104nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
6870pF @ 30V
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 136W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-PDFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN