AUIRF7379QTR Preise (USD) [122905Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- AUIRF7379QTR
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - Thyristoren and Transistoren - JFETs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies AUIRF7379QTR elektronische Komponenten. AUIRF7379QTR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AUIRF7379QTR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
AUIRF7379QTR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AUIRF7379QTR
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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