IPG20N10S4L35ATMA1 Preise (USD) [198028Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPG20N10S4L35ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPG20N10S4L35ATMA1 elektronische Komponenten. IPG20N10S4L35ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPG20N10S4L35ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPG20N10S4L35ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPG20N10S4L35ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 16µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1105pF @ 25V
Leistung max :
43W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerVDFN
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8-4
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