SI4202DY-T1-GE3 Preise (USD) [142562Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SI4202DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - IGBTs - Arrays, Thyristoren - Thyristoren and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix SI4202DY-T1-GE3 elektronische Komponenten. SI4202DY-T1-GE3 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SI4202DY-T1-GE3 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
SI4202DY-T1-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SI4202DY-T1-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
12.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
710pF @ 15V
Leistung max :
3.7W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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